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| Numero di parte | BSO080P03SNTMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.120 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5890pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.79W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 14.9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-DSO-8 |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSO080P03SNTMA1 D# BSO080P03SNTMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSO080P03SNTMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
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86-755-83210559-827
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