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BSP100,135

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Numero di parte BSP100,135
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223
Scheda dati
pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino 4.976 piece(s)
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Specifiche BSP100,135

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 20V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2.2A, 10V
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

BSP100,135 Packaging

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Packing
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BSP100,135 FAQ

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NXP Semiconductors

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Bulk (Alt: BSP100,135)

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MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223

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