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BSP129E6327T

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Numero di parte BSP129E6327T
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Scheda dati

BSP129E6327T Scheda dati

pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche BSP129E6327T

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C350mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds108pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FETDepletion Mode
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 Ohm @ 350mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP129E6327T

BSP129E6327T Packaging

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Packing
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BSP129E6327T FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSP129E6327T is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSP129E6327T. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSP129E6327T on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSP129E6327T products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSP129E6327T price and inventory displayed accurate?
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