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BSP135L6327HTSA1

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Numero di parte BSP135L6327HTSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Scheda dati
pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino 7.328 piece(s)
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Specifiche BSP135L6327HTSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.9nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds146pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FETDepletion Mode
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 Ohm @ 120mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

BSP135L6327HTSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BSP135L6327HTSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSP135L6327HTSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSP135L6327HTSA1 price and inventory displayed accurate?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# BSP135L6327HTSA1

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 - Bulk (Alt: BSP135L6327HTSA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSP135L6327HTSA1

D# 2156-BSP135L6327HTSA1-ITTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSP135L6327HTSA1

Rochester Electronics LLC

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSP135L6327HTSA1

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 0.12A, 600V, 45ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
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