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BSP317PL6327HTSA1

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Numero di parte BSP317PL6327HTSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223
Scheda dati

BSP317PL6327HTSA1 Scheda dati

pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche BSP317PL6327HTSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C430mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 370µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds262pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4 Ohm @ 430mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP317PL6327HTSA1

BSP317PL6327HTSA1 Packaging

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Packing
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BSP317PL6327HTSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSP317PL6327HTSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSP317PL6327HTSA1 price and inventory displayed accurate?
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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 - Bulk (Alt: BSP317PL6327HTSA1)

RoHS: Not Compliant
0
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D# 2156-BSP317PL6327HTSA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSP317PL6327HTSA1

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

42733
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

BSP317 - SIPMOS Small-Signal P-Channel MOSFET

RoHS: Compliant
37159
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

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