Name: BSP318SL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP318SL6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (141 reviews)

BSP318SL6327HTSA1

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Numero di parte	BSP318SL6327HTSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
Scheda dati	BSP318SL6327HTSA1 Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche BSP318SL6327HTSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP318SL6327HTSA1

BSP318SL6327HTSA1 Packaging

BSP318SL6327HTSA1 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP318SL6327HTSA1

D# BSP318SL6327HTSA1

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 - Bulk (Alt: BSP318SL6327HTSA1)

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP318SL6327HTSA1

D# 2156-BSP318SL6327HTSA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4

5794900

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP318SL6327HTSA1

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

6667010

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP318SL6327HTSA1

Infineon Technologies AG

BSP318 - SIPMOS Small-Signal N-Channel MOSFET

RoHS: Compliant

5794900

Numero di parte

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Descrizione

Azione

BSP318SL6327HTSA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

2016

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