Name: BSP322PL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP322PL6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (90 reviews)

BSP322PL6327HTSA1

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Numero di parte	BSP322PL6327HTSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
Scheda dati	BSP322PL6327HTSA1 Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche BSP322PL6327HTSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 380µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	372pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP322PL6327HTSA1

BSP322PL6327HTSA1 Packaging

BSP322PL6327HTSA1 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP322PL6327HTSA1

D# BSP322PL6327HTSA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin SOT-223 T/R - Bulk (Alt: BSP322PL6327HTSA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP322PL6327HTSA1

D# 2156-BSP322PL6327HTSA1-ITTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

28000

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BSP322PL6327HTSA1

Rochester Electronics LLC

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33350

Numero di parte

Produttore

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BSP322PL6327HTSA1

Infineon Technologies AG

BSP322 - SIPMOS Small-Signal P-Channel MOSFET

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