Name: BSP372 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP372-E6327
Availability: InStock
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BSP372 E6327

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Numero di parte	BSP372 E6327
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Scheda dati	BSP372 E6327 Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche BSP372 E6327

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 25V
Vgs (massimo)	±14V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 1.7A, 5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP372 E6327

BSP372 E6327 Packaging

BSP372 E6327 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSP372 E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSP372 E6327 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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