Name: BSS119E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS119E6327
Availability: InStock
Rating: 5 (102 reviews)

BSS119E6327

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Numero di parte	BSS119E6327
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Scheda dati	BSS119E6327 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BSS119E6327

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	170mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	78pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT23-3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica BSS119E6327

BSS119E6327 Packaging

BSS119E6327 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSS119E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSS119E6327 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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