Name: BSS131L6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS131L6327HTSA1
Availability: InStock
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BSS131L6327HTSA1

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Numero di parte	BSS131L6327HTSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
Scheda dati	BSS131L6327HTSA1 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BSS131L6327HTSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	110mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 56µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	77pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 100mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT23-3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica BSS131L6327HTSA1

BSS131L6327HTSA1 Packaging

BSS131L6327HTSA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSS131L6327HTSA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Azione

BSS131L6327HTSA1

D# BSS131L6327HTSA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3

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Descrizione

Azione

BSS131L6327HTSA1

Infineon Technologies AG

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