Name: BSS83PE6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS83PE6327
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

BSS83PE6327

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Numero di parte	BSS83PE6327
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
Scheda dati	BSS83PE6327 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
A magazzino	2.096 piece(s)
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Specifiche BSS83PE6327

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	330mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.57nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	78pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 330mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT23-3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica BSS83PE6327

BSS83PE6327 Packaging

BSS83PE6327 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSS83PE6327.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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