Name: BSS83PL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS83PL6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (75 reviews)

BSS83PL6327HTSA1

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Numero di parte	BSS83PL6327HTSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
Scheda dati	BSS83PL6327HTSA1 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BSS83PL6327HTSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	330mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.57nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	78pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 330mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT23-3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica BSS83PL6327HTSA1

BSS83PL6327HTSA1 Packaging

BSS83PL6327HTSA1 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSS83PL6327HTSA1

D# BSS83PL6327HTSA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3

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