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Numero di parte | BSZ12DN20NS3GATMA1 |
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Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON |
Scheda dati | |
pacchetto | 8-PowerTDFN |
ECAD |
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A magazzino | 4.224 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 D# V72:2272_06384561 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 D# BSZ12DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON T/R - Bulk (Alt: BSZ12DN20NS3GATMA1) RoHS: Not Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 D# SP000781784 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: SP000781784) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 D# C1S322000454510 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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4390 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 D# BSZ12DN20NS3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 D# 2725826 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 11.3A, TSDSON RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2497 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 11.3A PG-TSDSON-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2928 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3 G D# 726-BSZ12DN20NS3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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2006 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 D# 13AC8354 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 11.3A, TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:11.3A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):0.108ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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270 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 D# 8259257P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1, RL Min Qty: 10
Container: Reel
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3230 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
BSZ12DN20 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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59055 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
75224 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 D# 43710391 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ12DN20NS3GATMA1 D# 2725826 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 11.3A, TSDSON RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2310 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
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86-755-83210559-843
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