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BSZ150N10LS3GATMA1

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Numero di parte BSZ150N10LS3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Scheda dati

BSZ150N10LS3GATMA1 Scheda dati

pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
A magazzino 2.016 piece(s)
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Specifiche BSZ150N10LS3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.1W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSZ150N10LS3GATMA1

BSZ150N10LS3GATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BSZ150N10LS3GATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that BSZ150N10LS3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSZ150N10LS3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSZ150N10LS3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSZ150N10LS3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSZ150N10LS3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of BSZ150N10LS3GATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSZ150N10LS3GATMA1?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSZ150N10LS3GATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSZ150N10LS3GATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
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  • 7.How to contact us to get technical supports, such as BSZ150N10LS3GATMA1 pin diagram, BSZ150N10LS3GATMA1 datasheet?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# V72:2272_06384625

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# 97Y1271

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 97Y1271)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# SP001002916

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: SP001002916)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

MV POWER MOS - Tape and Reel

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# C1S322000450806

Infineon Technologies AG

MOSFET

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
8
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

N-Channel 100V 40A 2.1V @ 33uA 15mohms @ 20A,10V 2.1W PG-TSDSON-8 MOSFET RoHS

9433
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON

13502
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# 2617423

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 40A, PG-TSDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
4842
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 15 mOhm 26 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
5000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

8748
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# 726-BSZ150N10LS3GATM

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

RoHS: Compliant
10250

BSZ150N10LS3 G

D# 726-BSZ150N10LS3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

RoHS: Compliant
4379
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# XSFP00000186690

Infineon Technologies AG

10000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# 97Y1271

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 40A, PG-TSDSON-8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:40A, On Resistance Rds(on):0.013ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
326
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

2996
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# 52133957

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ150N10LS3GATMA1

D# 2617423

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 40A, PG-TSDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1247

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