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Numero di parte | BSZ180P03NS3EGATMA1 |
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Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 |
Scheda dati | |
pacchetto | 8-PowerTDFN |
ECAD | |
A magazzino | 7.616 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3EGATMA1 D# V72:2272_06390926 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3EGATMA1 D# BSZ180P03NS3EGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A 8-Pin TSDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSZ180P03NS3EGATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3EGATMA1 D# BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3EGATMA1 D# 2617460RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, P-CH, -30V, -39.6A, PG-TSDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3EGATMA1 D# 726-BSZ180P03NS3EGAT |
Infineon Technologies AG |
MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 RoHS: Compliant
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4845 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3EGATMA1 D# 97Y1272 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, P-CH, -30V, -39.6A, PG-TSDSON-8, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-39.6A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):0.0135ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-2.5V, RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3EGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1595 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3EGATMA1 D# 2617460 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, P-CH, -30V, -39.6A, PG-TSDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
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86-755-83210559-841
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