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| Numero di parte | BSZ180P03NS3GATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.272 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | apr 29 - mag 4 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 39.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 48µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2220pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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SIT1602BC-83-25S-24.000000T | SiTIME, -20 TO 70C, 7050, 50PPM, 2.5V, 2, -, OptiMOS? | Visualizza |
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B32621A3683J000 | EPCOS (TDK), CAP FILM 0.068UF 5% 250VDC RAD, Radial, OptiMOS? | Visualizza |
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BF23312-24B | JKL Components Corp., LAMP CCFL 1100V 2.3 X 312MM, -, OptiMOS? | Visualizza |
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1KSMB100A | Littelfuse Inc., TVS DIODE 85.5VWM 137VC SMD, DO-214AA, SMB, OptiMOS? | Visualizza |
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RC0603F4120CS | Samsung, RESISTOR 0201 412OHM 0.05W 1, -, OptiMOS? | Visualizza |
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5022R-911G | API Delevan Inc., FIXED IND 910NH 1.24A 240 MOHM, 2-SMD, OptiMOS? | Visualizza |
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BCS-131-L-S-DE-015 | Samtec Inc., BOX CONNECTOR SOCKET STRIP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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TV06DT-15-35PD | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG MALE 37POS GOLD CRIMP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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ECC25DKUS | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 50POS 0.100, -, OptiMOS? | Visualizza |
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VI-BTM-MX-F3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W, Full Brick, OptiMOS? | Visualizza |
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VI-JTY-CZ | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 16.5W, Half Brick, OptiMOS? | Visualizza |
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V375C5C50BN | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W, Quarter Brick, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3GATMA1 D# V36:1790_06390925 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3GATMA1 D# BSZ180P03NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A 8-Pin TSDSON EP - Tape and Reel (Alt: BSZ180P03NS3GATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3GATMA1 D# SP000709744 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A 8-Pin TSDSON EP (Alt: SP000709744) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3GATMA1 D# 448-BSZ180P03NS3GATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON |
4996 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3GATMA1 D# 3155104RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, P-CH, -30V, -39.6A, 150DEG C RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5750 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3 G D# 726-BSZ180P03NS3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 RoHS: Compliant
|
8557 |
BSZ180P03NS3GATMA1 D# 726-BSZ180P03NS3GATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 RoHS: Compliant
|
89 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3GATMA1 D# 39AH8787 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, P-CH, -30V, -39.6A, 150DEG C, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-39.6A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):0.0135ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-2.5V, RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2960 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
20016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ180P03NS3GATMA1 D# 3155104 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, P-CH, -30V, -39.6A, 150DEG C RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
2960 |
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