| Numero di parte | BSZ22DN20NS3 G |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.240 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 13µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225 mOhm @ 3.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# E32:1076_02198467 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP - Bulk (Alt: BSZ22DN20NS3GATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# SP000781794 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP (Alt: SP000781794) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# C1S322000411092 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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3190 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# BSZ22DN20NS3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# 2443374RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 7A, TSDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
11576 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# 726-BSZ22DN20NS3GATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
|
4866 |
BSZ22DN20NS3 G D# 726-BSZ22DN20NS3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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9697 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
BSZ22DN20 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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177641 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
161 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# 19149261 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# 2443374RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 7A, TSDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
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