Name: BUK6E2R0-30C,127
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: BUK6E2R0-30C-127
Availability: InStock
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BUK6E2R0-30C,127

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Numero di parte	BUK6E2R0-30C,127
Produttore	Nexperia USA Inc.
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Scheda dati	BUK6E2R0-30C,127 Scheda dati
pacchetto	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche BUK6E2R0-30C,127

Produttore	Nexperia USA Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	229nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14964pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Scheda tecnica BUK6E2R0-30C,127

BUK6E2R0-30C,127 Packaging

BUK6E2R0-30C,127 FAQ

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D# 2156-BUK6E2R0-30C127-ND

Rochester Electronics LLC

N-CHANNEL POWER MOSFET

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D# 1727-5886-ND

Nexperia

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

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Descrizione

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BUK6E2R030C127

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5437

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OEM/CM ONLY

9999

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK6E2R0-30C - Power Field-Effect Transistor, 120A, 30V, 0.0037ohm, N-Channel, MOSFET, TO-262AA

RoHS: Compliant

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NXP Semiconductors

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