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BUK752R3-40E,127

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BUK752R3-40E,127

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Numero di parte BUK752R3-40E,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Scheda dati

BUK752R3-40E,127 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK752R3-40E,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8500pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK752R3-40E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Transistor MOSFET N-Channel 40V 120A 3-Pin SOT-78A - Bulk (Alt: BUK752R3-40E,127)

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D# 2156-BUK752R3-40E127-NE-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BUK752R340E127

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1461
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

1491
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NXP Semiconductors

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