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BUZ73ALHXKSA1

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Numero di parte BUZ73ALHXKSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Scheda dati

BUZ73ALHXKSA1 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUZ73ALHXKSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds840pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 3.5A, 5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica BUZ73ALHXKSA1

BUZ73ALHXKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BUZ73ALHXKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUZ73ALHXKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BUZ73ALHXKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BUZ73ALHXKSA1?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# BUZ73ALHXKSA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin TO-220 Tube - Bulk (Alt: BUZ73ALHXKSA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Rochester Electronics LLC

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6723
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Power Field-Effect Transistor, 5.5A, 200V, 0.6ohm, N-Channel, MOSFET

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