Name: CSD75211W1723
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD75211W1723
Availability: InStock
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CSD75211W1723

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Numero di parte	CSD75211W1723
Produttore	Texas Instruments
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
Scheda dati	CSD75211W1723 Scheda dati
pacchetto	12-UFBGA, DSBGA
ECAD
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Specifiche CSD75211W1723

Produttore	Texas Instruments
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	12-UFBGA, DSBGA
ECAD
Serie	NexFET?
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 10V
Potenza - Max	1.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	12-UFBGA, DSBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	12-DSBGA

Scheda tecnica CSD75211W1723

CSD75211W1723 Packaging

CSD75211W1723 FAQ

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3. Are the CSD75211W1723 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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CSD75211W1723

Texas Instruments

479

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

CSD75211W1723

Texas Instruments

DUAL P CHANNEL NEXFET POWER MOSFET, -20V, -4.5A, DSBGA-12, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.5A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):46mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, No. of Pins:12 , RoHS Compliant: Yes

2615

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

CSD75211W1723

D# 2156-CSD75211W1723-ND

Rochester Electronics LLC

P-CHANNEL POWER MOSFET

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CSD75211W1723

Texas Instruments

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CSD75211W1723TI

Texas Instruments

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Texas Instruments

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