Name: CSD85312Q3E
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD85312Q3E
Availability: InStock
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CSD85312Q3E

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Numero di parte	CSD85312Q3E
Produttore	Texas Instruments
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
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pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche CSD85312Q3E

Produttore	Texas Instruments
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	NexFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 10V
Potenza - Max	2.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-VSON (3.3x3.3)

CSD85312Q3E Packaging

CSD85312Q3E FAQ

1. How to order CSD85312Q3E on Heisener?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of CSD85312Q3E.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm

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MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

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D# 296-37187-1-ND

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MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

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1887

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CSD85312Q3E

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CSD85312Q3E 20V, N Channel NexFET MOSFET, dual common source SON3x3, 14mOhm

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20-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common source SON 3 mm x 3, 14 mOhm

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