Name: DMG3N60SJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3N60SJ3
Availability: InStock
Rating: 5 (122 reviews)

DMG3N60SJ3

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Numero di parte	DMG3N60SJ3
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Scheda dati	DMG3N60SJ3 Scheda dati
pacchetto	TO-251-3, IPak, Short Leads
ECAD
A magazzino	2.144 piece(s)
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Specifiche DMG3N60SJ3

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-251-3, IPak, Short Leads
ECAD
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	354pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-251
Pacchetto / caso	TO-251-3, IPak, Short Leads

Scheda tecnica DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3 Packaging

DMG3N60SJ3 FAQ

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DMG3N60SJ3 garanzie

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

DMG3N60SJ3

D# V36:1790_17541935

Zetex / Diodes Inc

Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

DMG3N60SJ3

D# DMG3N60SJ3

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 501V~650V TO251 TUBE 75PCS - Rail/Tube (Alt: DMG3N60SJ3)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

DMG3N60SJ3

D# DMG3N60SJ3

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 501V~650V TO251 TUBE 75PCS (Alt: DMG3N60SJ3)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

DMG3N60SJ3

D# DMG3N60SJ3-ND

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 650V 2.8A TO251

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

DMG3N60SJ3

D# 621-DMG3N60SJ3

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V

300

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