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DMG4712SSS-13

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Numero di parte DMG4712SSS-13
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche DMG4712SSS-13

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2296pF @ 15V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FETSchottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)1.55W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 11.2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMG4712SSS-13 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

DMG4712SSS-13 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that DMG4712SSS-13 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the DMG4712SSS-13 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of DMG4712SSS-13?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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