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DMG4812SSS-13

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DMG4812SSS-13

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Numero di parte DMG4812SSS-13
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche DMG4812SSS-13

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1849pF @ 15V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FETSchottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)1.54W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 10.7A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMG4812SSS-13 Packaging

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Sealing
Packing
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DMG4812SSS-13 FAQ

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  • 3. Are the DMG4812SSS-13 price and inventory displayed accurate?
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