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DMG4932LSD-13

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Numero di parte DMG4932LSD-13
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche DMG4932LSD-13

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1932pF @ 15V
Potenza - Max1.19W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

DMG4932LSD-13 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

DMG4932LSD-13 FAQ

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