Name: DMG4N60SJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4N60SJ3
Availability: InStock
Rating: 5 (124 reviews)

DMG4N60SJ3

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Numero di parte	DMG4N60SJ3
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET NCH 600V 3A TO251
Scheda dati
pacchetto	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
ECAD
A magazzino	5.680 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
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Specifiche DMG4N60SJ3

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	532pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-251
Pacchetto / caso	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

DMG4N60SJ3 Packaging

DMG4N60SJ3 FAQ

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3. Are the DMG4N60SJ3 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of DMG4N60SJ3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the DMG4N60SJ3 we delivered, we will accept the replacement or return of the DMG4N60SJ3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(1)Inform us within 90 days

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