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DMN3031LSS-13

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Numero di parte DMN3031LSS-13
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Scheda dati DMN3031LSS-13 Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
A magazzino 49.300 piece(s)
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Specifiche DMN3031LSS-13

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Scheda dati DMN3031LSS-13Scheda dati
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds741pF @ 15V
Vgs (massimo)��20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.5 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica DMN3031LSS-13

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