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F3L100R12W2H3_B11

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F3L100R12W2H3_B11

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Numero di parte F3L100R12W2H3_B11
Produttore Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Descrizione IGBT MODULE VCES 600V 200A
Scheda dati

F3L100R12W2H3_B11 Scheda dati

pacchetto -
ECAD
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Specifiche F3L100R12W2H3_B11

ProduttoreInfineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto-
ECAD
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)-
Corrente - Collector (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Limite del collettore (max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Ingresso-
Termistore NTC-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / caso-
Pacchetto dispositivo fornitore-

Scheda tecnica F3L100R12W2H3_B11

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Packing
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F3L100R12W2H3_B11 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that F3L100R12W2H3_B11 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the F3L100R12W2H3_B11. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including F3L100R12W2H3_B11 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of F3L100R12W2H3_B11 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the F3L100R12W2H3_B11 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of F3L100R12W2H3_B11?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the F3L100R12W2H3_B11 we delivered, we will accept the replacement or return of the F3L100R12W2H3_B11 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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F3L100R12W2H3B11BPSA1

D# V99:2348_18206152

Infineon Technologies AG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 375000mW 15-Pin EASY2B-2 Tray

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

F3L100R12W2H3B11BPSA1

D# F3L100R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies AG

LOW POWER EASY - Trays (Alt: F3L100R12W2H3B11BPSA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

F3L100R12W2H3B11BPSA1

D# F3L100R12W2H3B11BPSA1-ND

Infineon Technologies AG

IGBT MOD 1200V 100A 375W

5
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Infineon Technologies AG

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213

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300
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

F3L100R12W2H3B11BPSA1

D# 2839505

Infineon Technologies AG

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

F3L100R12W2H3B11

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

380

F3L100R12W2H3B11BPSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

17
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

F3L100R12W2H3_B11

D# 641-F3L100R12W2H3_B1

Infineon Technologies AG

IGBT Modules LOW POWER EASY

RoHS: Compliant
9
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

F3L100R12W2H3B11BPSA1

D# 49AC0231

Infineon Technologies AG

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:50A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V, Power Dissipation Pd:375W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, Transistor Case RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

F3L100R12W2H3B11

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

356

F3L100R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

100
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 26198769

Infineon Technologies AG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 375000mW 15-Pin EASY2B-2 Tray

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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