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FCB20N60_F085

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Numero di parte FCB20N60_F085
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Scheda dati

FCB20N60_F085 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche FCB20N60_F085

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, SuperFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs102nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3080pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs198 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica FCB20N60_F085

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  • 2. How does Heisener guarantee that FCB20N60_F085 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FCB20N60_F085 price and inventory displayed accurate?
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D# V36:1790_06337687

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FCB20N60_F085

D# FCB20N60-F085

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin TO-263AB T/R - Bulk (Alt: FCB20N60-F085)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

FCB20N60-F085

D# FCB20N60-F085TR-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 20A, 600V, 0.198ohm, N-Channel, MOSFET, TO-263AB

RoHS: Compliant
625
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Fairchild Semiconductor Corporation

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