| Numero di parte | FCD4N60TM_WS |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.528 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | SuperFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FCD4N60TM_WS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FCD4N60TM_WS D# FCD4N60TM_WSTR-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FCD4N60TM_WS D# NS-FCD4N60TM_WS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
8252 |
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