Name: FCH041N65EFL4
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FCH041N65EFL4
Availability: InStock
Rating: 5 (117 reviews)

FCH041N65EFL4

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Numero di parte	FCH041N65EFL4
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 76A
Scheda dati	FCH041N65EFL4 Scheda dati
pacchetto	TO-247-4
ECAD
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Specifiche FCH041N65EFL4

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-4
ECAD
Serie	FRFET?, SuperFET? II
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	76A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 7.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	298nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12560pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 38A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-4L
Pacchetto / caso	TO-247-4

Scheda tecnica FCH041N65EFL4

FCH041N65EFL4 Packaging

FCH041N65EFL4 FAQ

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FCH041N65EFL4

D# P40:2555_13152154

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Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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FCH041N65EFL4

D# FCH041N65EFL4

ON Semiconductor

N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 650V Drain to Source Voltage 76A Continuous Drain Current 595W Power Dissipation Thru-Hole 4-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: FCH041N65EFL4)

RoHS: Compliant

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FCH041N65EFL4

D# FCH041N65EFL4

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N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 650V Drain to Source Voltage 76A Continuous Drain Current 595W Power Dissipation Thru-Hole 4-Pin TO-247 Tube (Alt: FCH041N65EFL4)

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3623

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MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET

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201

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FCH041N65EFL4

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

682

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FCH041N65EFL4

ON Semiconductor

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6266

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FCH041N65EFL4

Fairchild Semiconductor Corporation

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