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FCP7N60_F080

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Numero di parte FCP7N60_F080
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
Scheda dati

FCP7N60_F080 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche FCP7N60_F080

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieSuperFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds920pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 3.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica FCP7N60_F080

FCP7N60_F080 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that FCP7N60_F080 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FCP7N60_F080 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FCP7N60_F080?
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