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FDB10AN06A0

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FDB10AN06A0

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Numero di parte FDB10AN06A0
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
Scheda dati

FDB10AN06A0 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche FDB10AN06A0

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta), 75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1840pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica FDB10AN06A0

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDB10AN06A0 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FDB10AN06A0. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FDB10AN06A0 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FDB10AN06A0 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FDB10AN06A0 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FDB10AN06A0?
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N/A 12 A, 60 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB TO-263AB, 3 PIN

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