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FDD5810_F085

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Numero di parte FDD5810_F085
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Scheda dati

FDD5810_F085 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche FDD5810_F085

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.4A (Ta), 37A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1890pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 32A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252AA
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDD5810_F085 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 60V 37A DPAK

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK

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VBsemi Electronics Co Ltd

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MOSFET, AEC-Q101, NCH, 37A, 60V, TO252AA

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D# 07AH3897

ON Semiconductor

MOSFET, AEC-Q101, NCH, 37A, 60V, TO252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:37A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.018ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.6V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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