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FDD5N50NZFTM

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Numero di parte FDD5N50NZFTM
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V DPAK
Scheda dati

FDD5N50NZFTM Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche FDD5N50NZFTM

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieUniFET-II?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds485pF @ 25V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.75 Ohm @ 1.85A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica FDD5N50NZFTM

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Sealing
Packing
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  • 3. Are the FDD5N50NZFTM price and inventory displayed accurate?
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MOSFET, N-CH, 500V, 3.7A, 150DEG C/62.5W

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UF2 500V 1.75OHM F DPAK / REEL

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Power Field-Effect Transistor, 3.7A, 500V, 1.75ohm, N-Channel, MOSFET, TO-252

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