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FDH27N50

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Numero di parte FDH27N50
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
Scheda dati

FDH27N50 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche FDH27N50

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C27A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3550pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 13.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica FDH27N50

FDH27N50 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

FDH27N50 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDH27N50 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FDH27N50. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FDH27N50 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FDH27N50 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FDH27N50 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FDH27N50?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 27 A, 500 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 TO-247, 3 PIN

1222
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D# FDH27N50-ND

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MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3

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VBsemi Electronics Co Ltd

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Fairchild Semiconductor Corporation

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1996

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