| Numero di parte | FDM100-0045SP |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | i4-Pac?-5 |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.920 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | i4-Pac?-5 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 80A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC? |
| Pacchetto / caso | i4-Pac?-5 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FDM100-0045SP |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FDM100-0045SP D# FDM100-0045SP-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 55V 100A I4PAC |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FDM100-0045SP D# NS-FDM100-0045SP |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
9118 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FDM100-0045SP |
IXYS Corporation |
RFQ |
5204 |
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86-755-83210559-841
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