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FDMC8884_F126

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Numero di parte FDMC8884_F126
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V PWR33
Scheda dati

FDMC8884_F126 Scheda dati

pacchetto 8-PowerWDFN
ECAD
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Specifiche FDMC8884_F126

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerWDFN
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Ta), 15A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds685pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-MLP (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerWDFN

Scheda tecnica FDMC8884_F126

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDMC8884_F126 is from the original manufacturer or authorized agents?
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MOSFET N-CH 30V PWR33

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MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP

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