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FDP023N08B_F102

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Numero di parte FDP023N08B_F102
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
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FDP023N08B_F102 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche FDP023N08B_F102

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs195nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13765pF @ 37.5V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.35 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica FDP023N08B_F102

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Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin TO-220 Rail - Rail/Tube (Alt: FDP023N08B-F102)

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin TO-220 Rail (Alt: FDP023N08B-F102)

RoHS: Compliant
0
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Fairchild Semiconductor Corporation

680
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Fairchild Semiconductor Corporation

Trans MOSFET N-CH 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

895
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FDP023N08B-F102

ON Semiconductor

TO-220-3 MOSFET RoHS

870
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FDP023N08B-F102

D# FDP023N08B-F102OS-ND

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MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

628
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FDP023N08B-F102

D# 3616123

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MOSFET'S - SINGLE

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube
0
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FDP023N08BF102

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39100
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FDP023N08B-F102

D# C516098

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870
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MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35m?

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681
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D# XSFP00000101392

Fairchild Semiconductor Corporation

6000
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ON Semiconductor

FET 75V 2.35 MOHM TO220 / TUBE

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FDP023N08BF102

FAIRCHILD ON SEMICONDUCTOR

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2016
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