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FDS9958_F085

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Numero di parte FDS9958_F085
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Scheda dati

FDS9958_F085 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche FDS9958_F085

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs105 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1020pF @ 30V
Potenza - Max900mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica FDS9958_F085

FDS9958_F085 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDS9958_F085 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Transistor MOSFET Array Dual P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R - Bulk (Alt: FDS9958-F085)

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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

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MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

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MOSFET, AEC-Q101, DUAL P-CH, -60V, SOIC

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MOSFET Dual P-Ch PowerTrench MOS

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