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FQA10N80_F109

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Numero di parte FQA10N80_F109
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
Scheda dati

FQA10N80_F109 Scheda dati

pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche FQA10N80_F109

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SerieQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2700pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.05 Ohm @ 4.9A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica FQA10N80_F109

FQA10N80_F109 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that FQA10N80_F109 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FQA10N80_F109 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FQA10N80_F109?
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