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FQA6N90_F109

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Numero di parte FQA6N90_F109
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
Scheda dati

FQA6N90_F109 Scheda dati

pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche FQA6N90_F109

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SerieQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1880pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9 Ohm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PN
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica FQA6N90_F109

FQA6N90_F109 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that FQA6N90_F109 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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