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FQA9N90_F109

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Numero di parte FQA9N90_F109
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P
Scheda dati

FQA9N90_F109 Scheda dati

pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche FQA9N90_F109

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SerieQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2700pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3 Ohm @ 4.3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PN
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica FQA9N90_F109

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQA9N90_F109 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FQA9N90_F109 price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail - Bulk (Alt: FQA9N90-F109)

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MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P

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MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN

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