| Numero di parte | FQB4N20LTM |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.880 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | QFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35 Ohm @ 1.9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQB4N20LTM |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQB4N20LTM D# FQB4N20LTM-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQB4N20LTM D# NS-FQB4N20LTM |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
10046 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQB4N20LTM |
Fairchild Semiconductor Corporation |
shipping today |
45635 |
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