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FQB7N80TM_AM002

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Numero di parte FQB7N80TM_AM002
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
Scheda dati

FQB7N80TM_AM002 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche FQB7N80TM_AM002

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieQFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1850pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.13W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5 Ohm @ 3.3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica FQB7N80TM_AM002

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQB7N80TM_AM002 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FQB7N80TM_AM002 price and inventory displayed accurate?
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MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK

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MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK

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