Name: FQD19N10TM_F080
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FQD19N10TM_F080
Availability: InStock
Rating: 5 (182 reviews)

FQD19N10TM_F080

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Numero di parte	FQD19N10TM_F080
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Scheda dati	FQD19N10TM_F080 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino	3.440 piece(s)
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Specifiche FQD19N10TM_F080

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	QFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 25V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 7.8A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-Pak
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica FQD19N10TM_F080

FQD19N10TM_F080 Packaging

FQD19N10TM_F080 FAQ

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D# FQD19N10TM_F080-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

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