Name: FQD6N60CTM_WS
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FQD6N60CTM_WS
Availability: InStock
Rating: 5 (185 reviews)

FQD6N60CTM_WS

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Numero di parte	FQD6N60CTM_WS
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V DPAK
Scheda dati	FQD6N60CTM_WS Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino	2.256 piece(s)
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Specifiche FQD6N60CTM_WS

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	QFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	810pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-Pak
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica FQD6N60CTM_WS

FQD6N60CTM_WS Packaging

FQD6N60CTM_WS FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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FQD6N60CTM_WS

D# FQD6N60CTM-WS

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R (Alt: FQD6N60CTM-WS)

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FQD6N60CTM_WS

Fairchild Semiconductor Corporation

600V N-CHANNEL MOSFET QFET®, - Tape and Reel

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Azione

FQD6N60CTM-WS

D# FQD6N60CTM-WS-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Numero di parte

Produttore

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Azione

FQD6N60CTM_WS

D# NS-FQD6N60CTM_WS

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

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