| Numero di parte | FQI9N08LTU |
|---|---|
| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.840 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| Serie | QFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 4.65A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQI9N08LTU |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQI9N08LTU D# FQI9N08LTU-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQI9N08LTU D# NS-FQI9N08LTU |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
1393 |
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