| Numero di parte | FQP2N30 |
|---|---|
| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 103.464 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Serie | QFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
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SIT8209AC-GF-18S-156.250000X | SiTime, -20 TO 70C, 2520, 10PPM, 1.8V, 1, -, QFET? | Visualizza |
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8N3SV76AC-0103CDI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC OSC VCXO 240MHZ 6-CLCC, 6-CLCC, QFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQP2N30 |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQP2N30 D# FQP2N30-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQP2N30 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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5260 |
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86-755-83210559-841
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